型号 | SI5445BDC-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8 |
SI5445BDC-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI5445BDC-T1-GE3 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 33 毫欧 @ 5.2A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
功率 - 最大 | 1.3W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET? |
包装 | 带卷 (TR) |